首存1元送39元彩金|日本人写的《晶体管电路设计》_非常牛逼!doc

 新闻资讯     |      2019-12-25 07:31
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  8.5.1继电器驱动电路图8.22是用晶体管驱动继电器的电路。8.4.3设计开关电路的指标图8.18的电路的设计指标如下。首先为了获得直流增益(放大倍数)从图8.4(a)的一般发射极放大电路中去掉输入输出的耦合电容C、C得到图8.4(b)的电路。继电器线圈产生的反电动势电压达到了140V!对于我们日常接触比较多,这需要在考虑CTR后才能求得。而且的振幅值总比低0.6V(晶体管的VBE)。但是由于电路的放大倍数足够大所以输出波形变成了方波。图8.3是电压增益(放大倍数)Av=的发射极接地型放大电路。开路发射极的设计也完全相同由加在外部负载上的电压以及从输出端(发射极)流出或者吸入的最大负载电流为根据选择晶体管。图8.22的电路就是把图8.5电路中的负载电阻置换为继电器的开关电路。8.5.4光耦合器的传输电路如图8.27所示光耦合器是由LED(发光二极管)与光敏二极管(接收光并将光转换为电流的二极管)以及晶体管组合起来的放大/开关器件(也有用光敏晶体管(利用光进行接通/断开的晶体管)替代光敏二极管和晶体管的器件)。表征光耦合器的重要特性是电流转移比CTR(也叫做转移效率)。8.2发射极接地型开关电路的设计上面图8.5所示电路的设计指标如下。首先由于2SA1048置于导通状态时的饱和电压VCE(sat)非常小(0.1V以下)可以忽略不计。首先为了获得直流增益从图8.17(a)一般的射极跟随器中去掉输入输出耦合电容C和C变成图8.17(b)所示的电路。因此即使基极电位与集电极电位(即电源电压)相等晶体管的集电极发射极间电压VCE还是0.6~0.7V(达林顿连接时是1.2~1.4V)。简介:本文档为《日本人写的《晶体管电路设计》_非常牛逼!与发射极接地型开关电路的开路集电极相对应把这种电路叫做开路发射极电路。这就是集电极饱和电压VCE(sat)sat是saturation的简写)。

  由表8.1得知2SC2458的hFE最低值是70图8.5中电路的负载电流为5mA所以可以设定流过的基极电流大于0.1mA((5mA/70)×1.5)~0.14mA((5mA/70)×2)。图8.30中的电路常数是当电源的输出电流为500mA时过电流检出输出为L电平。图8.14是对图8.5的电路进行肖特基箍位的电路。照片8.1是给这个电路输入1kHz、1VPP信号时的输入输出波形。这叫做过驱动通常设定为按所使用晶体管hFE的最低值计算得到的基极电流的1.5~2倍以上。因此应选择集电极发射极间和集电极基极间电压最大额定值VCEO、VCBO大于连接负载的电源电压的晶体管。经常用TTL或CMOS等数字电路的输出直接控制开关电路。

  但是当负载电流大时有可能无法提供驱动输入端电路所必要的基极电流。因为必须由4000B系列CMOSIC提供基极电流所以为了将基极电流抑制在0.1mA(一般不怎么能够从4000B系列CMOSIC中取出电流)而负载电流是5mA所以hFE必须在50(=5mA/0.1mA)以上。当开关的负载为电动机或者继电器等电感性负载时在截断流过负载的电流时(晶体管进入截止状态时)会产生反电动势(楞茨定则)。照片8.12是图8.22的电路中没有接续流二极管时的集电极波形(控制信号是150Hz、0V/+5V的方波)。按照上述条件为使晶体管处于导通状态要求流过的基极电流为0.2mA所以R=22kΩ(=4.4V/0.2mA)(但是忽略了流过R的电流)。8.4. 1给射极跟随器输入大振幅射极跟随器是电压放大倍数为1的放大电路。这个电路与前面的图8.23比较由于采用射极跟随器型开关所以没有必要给基极插入限流电阻从而减少了电路的元件数目。8.2.1开关晶体管的选择由于负载电流(集电极电流)的指标是5mA所以晶体管集电极电流IC的最大额定值必须大于5mA。

  为了使流过LED的电流为30mA取R~ R=82Ω(=(5V-2V-0.6V)/30mA)。因此在这种状态下即使输入信号变成了0V基区中的电子并不能立即消失(电荷存储效应)。如果是采用共阳极型LED其电路如图8.25所示段一侧的开关电路要与数字型开关电路调换。通常这种动态驱动电路的驱动(形成图8.24那样的周期)是利用微处理器进行。但是这里的射极跟随器型开关电路继承了射极跟随器频率特性好的优点。图8.23的电路中每段LED各流过30mA电流。当R值大时容易受噪声的影响反之当R值小时将有无用电流从输入端流入R。当超过+0.6V时晶体管处于导通状态输出基本上是GND电平。图8.28的电路中留有3倍的余量设定IF=15mA。8.1.4如果集电极开路图8.5的电路中集电极连接着负载电阻L。图8.17示出将射极跟随器演变为开关电路的过程。这时产生的电压非常大。

  这样就可以将发射极接地放大电路变形成开关电路。由继电器的大小决定能够开关的信号的大小。但是在计算达林顿连接电路的基极电流时需要注意的是当晶体管导通时基极发射极之间的电压降是1.2~1.4V(两个VBE)。这时的输出波形不是通过介入耦合电容取出的而是集电极电位。照片8.14是一例7段LED。R、R2电阻也有各种取值。图8.5的电路已经在集电极与+5V电源间连接了负载(RL=1kΩ)所以是根据这个电源电压和负载电流来决定晶体管的。照片8.4是给这个电路输入1kHz0V/+5V控制信号时的集电极波形。晶体管处于导通状态时有基极电流流过所以在基区内积累有电子。这个电容器的作用是提高开关速度所以称为加速电容。由于用0V/+5V的方波使晶体管于接通/断开状态所以输出波形也是+5V/0V的方波。在LED显示器的场合如果位数(LED的器件数)多那么将有很多静态电流流过LED消耗许多功率!

  可以看出由于加速电容的作用已经看不到照片8.5中的时间滞后。表8.1是2SC2458器件的特性。按照IC>5mAhFE>50VCEO>5VVCBO>5V的条件与发射极接地时情况相同选择2SC2458(东芝)。从照片8.3看到的输入输出波形简直就是数字电路中倒相器(NOT电路)的输入输出波形。图8.30比较特殊是一例将光耦合器用于恒压电源的过电流检出的电路。把这个电路叫做开路集电极它广泛应用于以继电器或灯泡等为外部负载的开关电路。照片8.13是接续了续流二极管时(参见图8.22)的集电极波形这个续流二极管采用硅二极管1SS176(最大反向电压是35最大正向电流是300mA东芝)。尽管晶体管处于导通状态时的集电极发射极间电阻值非常小但还不是零所以当集电极电流流过时会产生电压降。许多应用需要高的开关速度。最近已经有些厂家产生出如图8.12所示那样内藏有偏置电阻的晶体管产品。也就是说晶体管处于导通状态。另外如图8.9所示当发射极接地型开关电路中采用达林顿连接时Tr2的集电极发射极间电压并不是VCE(sat)而是Tr2的VBE(=0.6~0.7V)。它可以成为晶体管开关电路的一部分。当这种电压超过晶体管的集电极基极间、集电极发射极间电压的最大额定值VCBO、VCEO时晶体管将会被击穿。

  图8.28是使用高速光耦合器6N136(HP)的CMOS数字电路间的连接电路。这里的肖特基二极管采用1SS286(日立)。8.1.2从放大电路到开关电路图8.4是从发射极放大电路演变到开关电路的示意图 。动态点灯时在某一位点灯期间其他各位都处于熄灯状态(通常只有一位处于点灯状态)所以能够降低功耗。段驱动电路采用NPN晶体管射极跟随器型开关。射极跟随器型开关电路的负载电流原封不动地就是发射极电流所以必须给输入端提供它的1/hFE的基极电流。在设计大负载电流的电路时还需要注意晶体管的集电极发射极间饱和电压VCE(sat)。对于图8.5的电路由于负载电流小只有5mA所以没有什么问题。动态点灯时由于熄灯的时间较长流过静态发光场合电流的2~3倍就能够获得足够的辉度。流过LED的电流由串联到各段的限流电阻R~ R决定。CTR是流过输入端LED的电流IF与相应的输出端晶体管的集电极电流IC之比IF/IC用“%”表示。以下为正文内容。图8.23的电路采用了7段LED有共同阴极的共阴极型LED。照片8.6是给图8.13的电路输入100kHz、0V/+5V方波时的输入输出波形。也就是说由于这个电路是射极跟随器的变形所以输入输出信号的相位也与放大电路的情况相同都是同相的。当输入信号电平在+0.6V以下时体管处于截止状态输出电平是+5V(电源电压)!

  因此如图8.4(e)所示还需要插入限制基极电流的电阻R。在开关调节器之类使负载高速开关的应用电路中这种时间滞后是很不利的。上方是与段(器件)相对应的开关下面是与数字(位)相对应的开关。8.1.3观测开关波形图8.5是上述电路代入了具体数值的实际开关电路照片8.2是给这个电路输入1kHz、2VPP的正弦波时的输入输出波形。

  在开路集电极的场合选择的方法也完全相同。射极跟随器型开关电路的重要特点就是能够实现高速开关。当输入信号从0变化到+5V时晶体管立即由截止状态变化到导通状态输出信号也立即响应从+5V变化到0V。但是开关电路如图8.2所示是一种计数地接通/断开晶体管的集电极发射极间的电流作为开关使用的电路。这样的开关电路只要利用输入信号使输出波形被限幅就可以实现(使晶体管处于接通/断开状态就可以)所以可以认为只要放大电路具有非常大的放大倍数或者加上很大的输入信号就可以。通常开关电路的输入信号只是控制开关的接通/断开所以采用与接通/断开电平相对于的二值信号即方波。6N136的CTR是20%(根据数据表所以可以设定IF=5mA(≈1mA/20%)。如图8.8所示采用达林顿连接时Tr1的发射极电流全部变成Tr2的基极电流所以总的hFE是各自晶体管的hFE之积(hFE·hFE)。由于流过LED的电流大(15mA)所以可以并联接续CMOS倒相器以提高负载的驱动能力。这里就提高速度的基本技术进行实验。当然使用时并不介意选择NPN晶体管还是PNP晶体管?

  因此实际上如图8.22所示给负载(线圈)并联接续二极管(注意如果二极管的方向与图示方向相反后果将很严重!在使用PNP晶体管的电路中如果在比正电源电位低的电源(在图8.6(b)中是GND)与集电极间连接负载这 时就像负载电流在流出。这种7段LED在用数字显示数字电路的BCD输出时应用得很多是一种很常见的电路。如照片8.10所示即使1MHz的频率也能够很容易地实现开关。请按照平台侵权处理要求书面通知爱问!这里设定RC=4.7kΩ所以C≈1mA。由于肖特基箍位电路不像接入加速电容那样会降低电路的输入阻抗所以当驱动开关电路的前级电路的驱动能力较低时采用这种方法很有效。可以看出当R小时由于低通滤波器的截止频率升高所以输出波形从0V变化到+5V时的上升速度加快了。

  这样就把射极跟随器变成了开关电路。由于晶体管是达林顿连接所以可以用0.5mA的基极电流开关0.9A的负载。图8.23的电路是由上方采用PNP晶体管的开路集电极电路与下方采用NPN晶体管达林顿连接的开路集电极电路以及中间夹入的LED构成的电路。为了确保没有输入信号时晶体管处于截止状态需要保留使基极处于GND电位的电阻R。由于没有必要给基极加偏置电压(因为输入信号为0V时晶体管处于截止状态)所以如图8.17(c)所示再去掉R1。这时流过晶体管的基极电流非常小所以可以认为这时晶体管的导通状态很接近截止状态。LED的正向电压降VF是1.5V(根据数据表)所以RL=220Ω(约为(5V-1.5V)/15mA)(假定CMOS倒相器的输出电压是0V)。当然使用PNP晶体管也无妨不过这时的电路变成图8.20所示的那样。请先进入【个人中心】-【账号管理】-【设置密码】完成设置8.1.1晶体管的开关图8.1是一例发射极接地放大电路这种电路能够通过输入信号(电压)连续地模拟地控制流过集电极发射极间电流获得输出电压。当晶体管处于截止状态时连接负的电源的电压(这里是+5V)加在集电极发射极之间和集电极基极之间。换句话说晶体管处于截止状态。由于射极跟随器型开关晶体管的CE是0.6V(图8.23的发射极接地型开关中VCE(sat)在0.1V以下可以忽略)所以R~ R的值小了(R~ R=(5V-2V-0.6V-0.6V)/30mA≈62Ω)。

  这个VCE与集电极电流=发射极电流)之积就是晶体管的热损耗所以当负载电流大时应该注意晶体管的发热问题。且需求量比较大的施工合同,这种二极管不是PN结而是由金属与半导体接触形成具有整流作用的二极管其特点是开关速度快正向电压降VF比硅PN结小准确地说叫做肖特基势垒二极管。在这种情况下需要采用称为“超晶体管”的hFE非常大的晶体管(例如2SC3113(东芝)的hFE可达到600~3600)或者如图8.8所示将两个晶体管达林顿连接。这里设定R=22kΩ(与R值相同)。希望反逻辑时如图8.29所示可以用CMOS倒相器驱动LED的阳极(这样一来当输入为H电平时光耦合器的晶体管处于截止状态所以输出L电平)!

  这时a~的段信号控制输入信号电平(0V:发光+5V:熄灯)使得发光的位显示为文字。例如如果hFE=hFE=100那么总的hFE就是10000用1mA的基极电流就能够开关10A的集电极电流。因此采用达林顿连接处理大电流时特别要注意晶体管的热损耗问题(0.6~0.7V×集电极电流=热损耗)。输入采用0V/+5V的4000B系列CMOS逻辑电路的信号接通/断开5mA的负载电流(+5V电源上连接RL=1kΩ)。所以如果RC值不是小到某种程度的话就会降低晶体管在截止状态的输出电压。照片8.3是给图8.5的电路输入1kHz、0V/+5V方波时的输入输出波形。由于所使用的晶体管以及基极电流、集电极电流值等因素加速电容的最佳值是各不相同的。

  图8.10是2SC2458的集电极流过100mA的负载电流时的开关电路。这些模板也许能够帮到你。登录成功,照片8.6中还看得不很清楚实际上晶体管由截止状态到导通状态的时间也缩短了。本资料为日本人写的《晶体管电路设计》_非常牛逼!下方的位开关中会流过7个段的电流因此采用达林顿连接以保证能够吸收大电流。8.3.1使用加速电容图8.13是给基极限流电阻R并联小容量电容器的电路。这将在后面介绍。在这种情况下仍然和发射极接地时的办法一样或者采用超晶体管或者如图8.21所示将晶体管达林顿连接使用。这是因为Tr2的集电极电位如果不是与Tr1的发射极电位(=Tr2的基极电位)同电位那么Tr1的基极集电极间的PN结将处于导通状态。

  这个晶体管叫做续流二极管或者闭合二极管。由于数字电路中间用光耦合器连接所以可以把电路间的GND线分离从而截断GND线的电位差和噪声。如需使用密码登录,一般的光耦合器中CTR的值为百分之几至百分之几百。图8.18的电路是在发射极连接负载电阻RL。进一步为了提高放大倍数去掉发射极电阻E变成图8.4(c)的电路。

  如图8.6所示在使用NPN晶体管的电路中如果在电位高于GND的电源与集电极(输出端)之间连接负载这时就像是吸入负载电流。输出波形的上半周被截去的情况是由于输出电平与电源电压相等所以集电极电阻上没有了电压降也就是说晶体管的集电极发射极间没有电流流过(集电极电流为零)。所以当负载电流大时必须注意晶体管的发热问题。等您下载。图8.24是图8.23电路的控制信号的工作波形。明确相互之间权利、义务关系的书面协议。

  doc》,光耦合器的集电极中即使晶体管处于截止状态仍然有量级的暗电流流动。图8.28的电路中是用CMOS倒相器驱动LED的阴极所以当输入处于H电平时光耦合器的晶体管处于导通状态输出H电平。其次是确定流过LED的电流IF。当输入信号的振幅在+0.6V以下时晶体管处于截止状态所以只有i的正半周波形作为输出波形出现。

  如果是一般的LED(不是高辉度灯泡)静态发光流过LED的电流有几毫安至几十毫安就足够了。考虑到hFE的分散性或者基极电流受温度影响而变化等因素(因为VBE具有温度特性所以基极电流也随温度变化)应该使流过的基极电流稍大些。继电器是磁性机械开关元件是用逻辑信号开关各种信号时使用的元件。因此如图8.4(d)所示去掉偏置用的R。照片8.7是给图8.14的电路输入100kHz、0V/+5V方波时的输入输出波形。

  CTR相当于是光耦合器的hFE所以在电路设计中必须充分予以考虑。如图8.6所示当不连接负载电阻时这个电路的集电极就原封不动地变成输出端。如果R过大将容易受噪声的干扰过小则在晶体管处于导通状态时会有无用电流流过R。8.5.2LED显示器动态驱动电路(发射极接地)图8.23是7段LED发光二极管驱动电路。图8.15是图8.14的电路中晶体管处于导通状态(输出为0V)时的动作。电路的设计首先求光耦合器集电极电阻RC的值。这种方法是74LS、74ALS、74AS等典型的数字ICTTL的内部电路中所采用的技术。这个电路可以认为是发射极接地放大电路的变形所以与放大电路一样输入输出信号的相位是反转的。肖特基二极管中某些器件的V R最大额定值非常低(高频电路中应用的某些器件仅为3V)。通过DG0~DG2数字信号依次为+5V对位进行扫描。顺便指出使用PNP晶体管时的电路就变成图8.7那样。但是由于电源电压以及发射极电阻上电压降的缘故如照片所示波形的上下部分均被截去(输出饱和)。可以看出由于续流二极管使反电动势闭合所以没有产生高于电源电压的电压(照片中看不清楚实际上继电器断开时的瞬间电压是电源电压+0.6V)。8.4.5偏置电阻1的确定R是当输入端开路时为确保晶体管处于截止状态所使用的电阻!

  流过段的电流也与图8.23的电路相同设定为30mA。8.3. 3如何提高输出波形的上升速度照片8.8是图8.14所示的电路中R=1kΩ时的开关波形(输入信号是100kHz、0V/+5V的方波)。照片8.7中输出波形由0V变化到+5V时之所以波形上升沿不很陡是由于R与晶体管密勒效应构成低通滤波器的影响与电荷存储效应没有关系。8.4.2开关速度8.3节曾经讲到如果发射极接地型开关电路中不采用加速电容等技术就不能够提高开关速度。如果电源设置为+15V由于输入信号是0V/+5V的CMOS(TTL)电平所以可以作为向0V/+15V的CMOS电平变换的逻辑电平变换电路。但是当负载电流达数百毫安以上时驱动基极的电路(接续输入端的电路)就有可能无法提供足够的基极电流。当输入信号为0V时晶体管处于截止状态 所以集电极就没有必要流过无用的电流空载电流。因为输出波形就是晶体管的发射极电位所以它追随输入信号输出的是0V/+4.4V的方波。如图8.11所示由于基极电位是+0.6V所以输入信号为+5V时R上产生的电压降为4.4V(但是要注意达林顿连接时基极电位为+1.2V)。输入信号是正弦波。

  图8.9是一例采用达林顿连接的开关电路是一个电灯开关电路。相反输出波形的下半周被截去的情况是因为输出电平处于更接近GND电平的电位(集电极电阻上的电压降非常大)晶体管的集电极电流处于最大值。对一般的晶体管来说容量约为数十皮法至数百皮法。这样一来在发光的LED与受光的晶体管之间不论存在多么大的电位差都能够实现信号的交接。只有当上下两方都处于导通状态时LED才会有电流流过而发光。图8.18的电路是给图8.17(c)的电路赋予具体电路常数值的射极跟随器型开关电路。8.5.3LED显示器动态驱动电路(射极跟随器)图8.26与图8.23相同也是7段LED的动态驱动电路。在这种状态下开关晶体管难免会被击穿。但是这样的开关电路必须是直流的接通/断开状态(这样的用途非常多)所以必须具有一定的直流的放大倍数。这样一来也就没有必要加基极偏置电压。可以看出其效果与接入加速电容(参见照片8.6)时相同晶体管从导通状态变化到截止状态时没有看到时间滞后。这样一来由于开关截止时产生的反电动势当集电极的电位变为电源电压(图8.22中为+12V)+0.6V(二极管的正向电压降)时二极管处于导通状态使反电动势闭合(也可以认为集电极电位被箍位在电源电压+0.6V)。一个位发光的时间一般是几百微秒至几毫秒。图8.14的电路中因为晶体管截止时电源电压原封不动地加在D上所以必须使用V R的最大额定值大于5V的器件(1SS286是25V)。8.3.2肖特基箍位提高晶体管开关速度的另一个方法是利用肖特基二极管箍位。它应用于高速开关外部负载的场合。在这里简单作以介绍。当然反过来也可以由0V/+15V变换为0V/+5V。)。如图8.16所示肖特基二极管的正向电压降VF比晶体管的VBE小(图8.14电路中的VF≈0.3V)所以本来应该流过晶体管的大部分基极电流现在通过D被旁路掉了。

  因此这个开路集电极能够接通/断开负载电流而与负载连接几伏的电源没有关系所以是一个对于开关外部负载非常方便的电路。数字一侧的驱动电路是达林顿连接的发射极接地型开关。射极跟随器型开关电路中当晶体管处于导通状态时发射极电位比基极电位低0.6~0.7V。这个电路用串联插入的3Ω电阻RF检出恒压电源的输出电流通过它上面的电压降使光耦合器PC812(夏普)的LED发光从而获得检出信号。不过也有不连接负载电阻的电路如图8.19那样发射极原封不动地成了输出端。这样当输入信号上升、下降时能够使R电阻瞬间被旁路并提供基极电流所以在晶体管由导通状态变化到截止状态时能够迅速从基区取出电子(因为R被旁路)消除开关的时间滞后。因此光耦合器应用于电位差不同的电路间的信号交接、数字电路与模拟电路的GND地的分离等场合。与发射极接地型开关电路相比由于不需要限制基极电流的电阻(因为基极电流必须是负载电流的1/hFE)所以它的另一个优点就是元件少。因此经常采用一位一位依次点灯的动态点灯方式。8.2.4开关速度慢s量级照片.5是给图8.5的电路输入100kHz、0V/+5V方波时的输入输出波形。指发包方 (建设单位) 和承包方 (施工单位) 为完成商定的建筑安装工程施工任务,但是图8.4(d)的电路中如果输入信号超过+0.6V晶体管基极发射极间的二极管将处于导通状态就开始有基极电流流过。8.2.3确定偏置电路R、R如果能使基极电流达到集电极电流的1/hFE倍晶体管将处于导通状态。.doc文档,尽管图8.5和图8.18中使用的晶体管是相同的。双声道无噪音12V成品功放板模块diy套件 9v/15v/12v音箱音响电路板功放主板 双15W*若权利人发现爱问平台上用户上传内容侵犯了其作品的信息网络传播权等合法权益时,这个电路必须注意的是在继电器线圈上并联有二极管。如果使用内藏电阻的晶体管将会减少电路的元件数目这对于开关电路是很方便的。这里设定R=10kΩ。

  加速电容是一种与减小R值等效的提高开关速度的方法(减小R值也会加快输出波形的上升速度)。这个电路中VCE(sat)=0.16V。光耦合器是通过电流流过LED使之发光再用光敏二极管接收这个光并转换为基极电流使晶体管工作的器件。晶体管处于导通状态时的功率损耗是VCE(sat)与集电极电流之积它们全部变成热损耗。但是由于光耦合器的CTR随温度和使用时间的变化大所以输出电流的检出值不能够准确地设定为500mA(即使通过调整RF正确地设定了输出电流由于环境温度的变化或者长期使用的原因也会使CTR变化从而偏离设定值)。由外部负载连接的电源电压和从输出端(集电极)吸入或流出的最大负载电流共同选择晶体管。所以从电源电压减去7段LED的电压降2V(显示用LED 的正向电压降与流过的电流不怎么有关为2V)以及达林顿连接的集电极发射极间电压0.6V值余下的就是加在R~ R上的电压。因此如照片8.7所示从导通状态变化到截止状态时的时间滞后非常小(基极电流小所以电荷存储效应的影响小)。这种电路具有直流增益利用输入大振幅的方波可以起到与开关电路相同的作用。由于CTR随温度和使用时间的变化较大所以通常留有2至数十倍的余量。施工合同亦称“工程合同”或“包工合同”。也就是说这样的状态不能限制电流会有非常大的基极电流流过。肖特基箍位可以看作是改变晶体管的工作点减小电荷存储效应影响提高开关速度的方法。可适用于IT/计算机领域全国最大的共享资料库,照片8.9是给这个电路输入1kHz、4VPP的正弦波时的输入输出波形。R是输入端开路时确保晶体管处于截止状态的电阻。8.2.2当需要大的负载电流时发射极接地型开关电路的负载电流就是集电极电流所以必须能够从输入端提供大于1/hFE的基极电流。所谓肖特基箍位在基极集电极之间接入肖特基二极管。大大超过2SC2458的最大额定值VCBO=VCEO=50V。但是为了能够像数字IC那样高速动作还需要作一些改进。

  因此加速电容的值要通过观测实际电路的开关波形决定。这是应用0V/+5V的4000B系列CMOS逻辑电路的信号对5mA的负载电流进行接通/断开的电路。但是当从+5V变化到0V时晶体管从导通状态变化到截止状态时却花费时间从V变化到+5V时间滞后了。由于晶体管的基极电流是由光转换提供的所以光耦合器的最大特点是LED部分与晶体管部分能够实现电学分离。但是达林顿连接时需要注意发射极电位要比基极电位低1.2~1.4V(两个VBE)。所以这个电路可以作为倒相器使用。另外晶体管处于截止状态时电源电压(在这里是+5V)是加在集电极发射极间和集电极基极间所以所选择晶体管的集电极发射极间和集电极基极间的最大额定值VCEO、VCBO必须大于电源电压。由于AV=所以输出应该是10VPP。照片8.10是给图8.18的电路输入1MHz、0V/+5V方波时的输入输出波形。但是为了确保没有输入信号时晶体管处于截止状态所以保留使基极处于GND电位的电阻R。8.3如何提高开关速度使用晶体管开关时上述图8.5电路的开关速度往往不能满足要求。而且在基极限流电阻R的作用下也不可能立即从基区取出全部电子这就是造成时间滞后的原因。也就是说由于集电极的电位不高于电源电压+0.6V所以能够防止晶体管被击穿。在设计这种电路时需要注意肖特基二极管的反向电压V R的最大额定值。由爱问共享资料用户提供,照片8.11示出各种继电器。这里按照VCEO>+5VVCBO>+5VC>5mA的条件选择2SC2458(东芝)。8.4.4晶体管的选择负载电流(发射极电流)的指标是5mA所以晶体管的集电极电流(=发射极电流)的最大额定值必须大于5mA。